Samsung представила твёрдотельный накопитель ёмкостью 512 ГБ, который станет первым из производимых ей накопителей, использующим высокоскоростную флеш-память NAND с асинхронным DDR-интерфейсом.
В новом SSD используется 32-гигабитный чип, выполненный по 30-нанометровой технологии, производство которого было запущено компанией в 2009 году. Способность чипа работать под напряжением как 1,8 В, так и 3,3 В означает, что при том же объёме энергопотребления, что и у ранних 16-гигабитных NAND-чипов скорость нового накопителя будет значительно выше. При подключении к интерфейсу SATA II максимальная скорость чтения составит 250 МБ/с, а максимальная скорость записи — 220 МБ/с.
Как полагают в компании, новый SSD будет устанавливаться на ноутбуки класса hi-end. Производство новинки начинается в июле, однако стоимость пока не сообщается. Вероятно, новый SSD будет поставляться непосредственно производителям компьютеров.
