Samsung меняет законы рынка flash-памяти, выпуская 32-гигабайтные карты памяти на основе 40-нанометровой технологии
Темы:
После известного закона Мура (Moore’s Law), Samsung планирует учредить и проверить на практике «закон Хвана» (“Hwang’s Law”), получивший свое название по имени одного из руководителей компании - Хвана Чан-ги (Hwang Chang-gyu). Этот закон предписывает, чтобы объем микросхем flash-памяти последнего поколения удваивался каждый год. Для осуществления этого закона Samsung разрабатывает новую структуру транзисторов, которая позволит преодолеть ограничения современных методов, используемых для создания flash-памяти.
Samsung также объявила о начале работы над новой формой памяти, которая явится преемницей flash NOR. PRAM (Phase-change Random Access Memory - оперативное запоминающее устройство с фазовым переходом) будет в 30 раз быстрее, чем NOR, в особенности потому, что не нужно будет стирать данные, чтобы на их место записать новые. Кроме того, микросхемы PRAM будут жить в 10 раз больше, занимать вдвое меньше места по сравнению с NOR той же емкости и будут дешевле в производстве на 20%. Samsung считает, что это и есть необходимые аргументы, чтобы присвоить PRAM «титул» - «Perfect RAM»… Первый прототип уже разрабатывается. В 2008 году ожидаются поставки на рынок первых серий микросхем в 512 Мб.
Также Samsung сообщила, что компанией уже разработаны прототипы карт памяти Compact Flash емкостью от 32Гб. В создании новых носителей применялась технология архитектуры Charge Trap Flash (CTF), увеличивающая производительность и надёжность flash-памяти NAND. Новая технология позволит создавать устройства, использующие flash-память, еще меньше; эти устройства будут менее энергоемкими, и более устойчивыми к вибрациям. В общем, если довериться Samsung (а не доверять лидеру индустрии flash-памяти нет оснований), то в скором будущем (год-два) нас ждут карты памяти объемом не только 32 Гб, но и 64 и больше.
