Samsung объявила о достижении существенного прорыва в разработке памяти RRAM (resistive random access memory — резистивной памяти случайного доступа). Инженеры и учёные компании существенно улучшили её долговечность, позволив опытным образцам RRAM переключаться между циклами записи и удаления триллионы раз. Границей, достигнутой в эксперименте, явилась в миллион раз большая устойчивость к повреждениям вследствие перезаписи данных, чем у используемой сегодня флэш-памяти.
Технология RRAM, развиваемая Samsung, использует структуру, основанную не на кремнии, а на тантале. Помимо существенно скачка в количестве возможных циклов перезаписи, новые чипы соответствуют и основным требованиям к флэш-памяти по нормам плотности, скорости изменения состояния ячеек и энергопотреблению.
Данные о работе с RRAM, проведённой корейцами, опубликованы в последнем номере научного журнала Nature Materials. Информации о планах по внедрению технологии в производство пока нет.
